应我校计算机与通信工程学院邀请，英国剑桥大学博士生导师黄胜明博士于2013年5月6日来校做学术报告，具体事宜如下：
报告题目：无线传感器系统自动发电能量收集和管理
报 告 人：英国剑桥大学博士生导师黄胜明博士
报告时间：2013年5月6日（周一）上午10:00
报告地点：科学校区计算机楼213会议室
科技处
计算机与通信工程学院
二零一三年五月三日
附：黄胜明简介
2002年1月至2002年12月，在剑桥大学工程系以博士后研究员的身份工作。主要从事AC/DC开关电源控制器的研制，包括设计振动器，参考源和分路调制器等。
1998年至2001年，在剑桥大学攻读博士学位期间，从事新型半导体功率器件结构和工艺技术研究。首次提出了MCST，IEC-IGBT，DUAL-CHANNEL IEGT 等新 型器件结构，受到广泛关注。在IEEE等国际知名期刊上发表论文13篇，其中多篇被引用。
1997年至1998年，在英国利物浦大学电工与电子学系以助理研究员身份从事槽栅型功率器件结构和控制电路研究。
1987年至1997年，在陕西微电子学研究所工作，主要从事集成电路辐射效应加固技术研究。作为课题负责人或主要参与者，曾获得航天部科技成果奖4项 (二等奖 1项，三等奖3项)，参与编写著作<<抗辐射电子学---辐射效应及加固原理>> (国防 工业出版社，1998年)，并发表论文13篇。于1992年破格晋升高级工程师。其间于1993年9月至1994年6月，在南京航天管理干部学院脱产进修学习。主要工作和成果如下:
· 半导体器件和集成电路的辐射效应及其模型研究。
· 瞬态辐射环境下的电路模拟分析程序LSTRAC-2的开发。 (此项目获航天部1989年度科技进步成果三等奖，本人排名第2)
·瞬态辐射环境下CMOS电路闩锁效应及加固技术研究。
·集成电路单粒子效应的计算机模拟和加固技术研究以及辐射效应数据库建立。
(此项目获航天部1997年度科技进步成果三等奖，本人排名第1)
·集成电路总剂量辐射效应及加固技术研究。
·抗单粒子加固的LC6508 SRAM及抗总剂量辐射加固的54HC/AC系列电路的研制。 (此项目获航天部1997年度科技进步成果二等奖，本人排名第3)
·集成电路电磁脉冲效应模型和保护方法研究。 (此项目获航天部1997年度科技进步成果三等奖，本人排名第2)
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